Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

MDS60L

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55AW

Paket/Kılıf
55AW
Seri / Aile Numarası
MDS60L

MDS60L Hakkında

MDS60L, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi RF transistörüdür. 65V kollektör-emitter aralığında çalışabilen bu bileşen, 1.03GHz ile 1.09GHz arasında transition frekansına sahiptir. Maksimum 4A kollektör akımı ve 120W güç kapasitesi ile RF uygulamalarında kullanılır. 10dB kazanç değeri ile sinyal amplifikasyonu gerçekleştirir. Chassis mount paketinde sunulan MDS60L, 200°C'ye kadar yüksek sıcaklık ortamlarında çalışabilir. İletişim, harita işleme ve radyo frekans devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition 1.03GHz ~ 1.09GHz
Gain 10dB
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature 200°C (TJ)
Package / Case 55AW
Part Status Obsolete
Power - Max 120W
Supplier Device Package 55AW
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok