Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MDS150
RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 55AW
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MDS150
MDS150 Hakkında
MDS150, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde RF transistördür. 60V maksimum Collector-Emitter gerilimi ve 1.03-1.09GHz transition frekansı ile radyofrekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4A maksimum collector akımı ve 350W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 10dB gain değeri ile sinyal güçlendirme işlemlerinde etkin performans sağlar. Chassis Mount paket tipi ile sabit uygulamalara uygun montaj seçeneği sunmaktadır. 200°C junction sıcaklığına kadar çalışabilir. RF amplifikatör, osilator ve yüksek frekans anahtarlama devrelerinde kullanılmaya uygundur. Ürün üretimden kaldırılmış (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 500mA, 5V |
| Frequency - Transition | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Gain | 10dB |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | 200°C (TJ) |
| Package / Case | 55AW |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 350W |
| Supplier Device Package | 55AW |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok