Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MDS1100
RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 55TU-1
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MDS1100
MDS1100 Hakkında
MDS1100, Microchip Technology tarafından üretilen bir NPN RF transistöründür. 65V Collector-Emitter gerilimi ve 1.03GHz transition frekansı ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 100A maksimum collector akımı, 8.9dB kazanç ve 8750W maksimum güç yönetim kapasitesiyle tasarlanmıştır. Surface Mount paketi (55TU-1) ile elektronik devrelere monte edilir. RF amplifikatörü, osilatör ve yüksek frekans uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir. 200°C işletme sıcaklığında çalışabilmesi, endüstriyel ve telekomünikasyon uygulamalarında kullanım sağlar. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5A, 5V |
| Frequency - Transition | 1.03GHz |
| Gain | 8.9dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 200°C (TJ) |
| Package / Case | 55TU-1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 8750W |
| Supplier Device Package | 55TU-1 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok