Transistörler - FET, MOSFET - RF
MD7P19130HSR5
FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780HS-4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MD7P19130HSR5
MD7P19130HSR5 Hakkında
MD7P19130HSR5, Rochester Electronics tarafından üretilen dual channel LDMOS FET transistördür. 1.99 GHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmış bu RF transistörü, 65V nominal gerilim ve 28V test gerilimi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 40W çıkış gücü ve 20dB kazancı ile RF amplifikasyon, broadcast ve kablosuz iletişim sistemlerinde yer alan güç amplifikatörü devrelerinde uygulanır. NI-780S-4L paket tipinde sunulan komponent, profesyonel frekans kontrollü elektrik devrelerine entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1.25 A |
| Frequency | 1.99GHz |
| Gain | 20dB |
| Package / Case | NI-780S-4L |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 40W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok