Transistörler - FET, MOSFET - RF
MD7P19130HSR3
RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MD7P19130HSR3
MD7P19130HSR3 Hakkında
MD7P19130HSR3, Rochester Electronics tarafından üretilen S-Band frekans bandında çalışan RF N-Channel LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) transistörüdür. Dual element yapısıyla tasarlanan bu bileşen, 1.99 GHz çalışma frekansında 20 dB kazanç sağlayarak 40 W çıkış gücü sunmaktadır. 28 V test gerilimi ve 65 V nominal gerilim değerleriyle çeşitli RF amplifier uygulamalarında kullanılır. NI-780S-4L paket tipindedir. Radyo frekans haberleşme sistemleri, uydular, ön uç amplifikatörler ve radar uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Parça statüsü obsolete olmakla birlikte, depo stoku bulunabilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1.25 A |
| Frequency | 1.99GHz |
| Gain | 20dB |
| Package / Case | NI-780S-4L |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 40W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok