Transistörler - FET, MOSFET - RF
MD7P19130HR3
RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- NI-780-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MD7P19130HR3
MD7P19130HR3 Hakkında
MD7P19130HR3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) RF transistöründür. S-Band frekansı (1.99 GHz) için tasarlanan bu dual element transistör, 40W çıkış gücü sağlar ve 20dB kazanç sunar. 65V nominal voltajda, 28V test voltajında ve 1.25A test akımında çalışır. NI-780-4 paketinde sunulan bu bileşen, radyo frekansı amplifikatörü, base station transmitter ve RF güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Şu anda ürün yaşam döngüsünün son aşamasında (Obsolete) bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1.25 A |
| Frequency | 1.99GHz |
| Gain | 20dB |
| Package / Case | NI-780-4 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 40W |
| Supplier Device Package | NI-780-4 |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok