Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MBT35200MT2G

TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
MBT35200

MBT35200MT2G Hakkında

MBT35200MT2G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli PNP bipolar junction transistördür. 35V collector-emitter breakdown voltajı ve 2A maksimum collector akımı ile, küçük sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 6-TSOP (SOT-23-6) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 100 MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. 625mW maksimum güç derecelemesi ile düşük güç tüketimli devrelerde kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 1.5A collector akımında minimum 100 değerine sahiptir. Çeşitli tüketici elektroniği, sensör haberleşme modülleri ve portatif cihazlarda yaygın olarak tercih edilmektedir. Komponentin part status'ü obsolete olup, tedarik kısıtlı olabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package 6-TSOP
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 310mV @ 20mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 35 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok