Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MBT35200MT1

TRANS SW PNP BIPOL 35V 2A TSOP-6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
MBT35200

MBT35200MT1 Hakkında

MBT35200MT1, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-6 (TSOT-23-6) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 2A kolektör akımı ve 35V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 625mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 100MHz transition frequency ile anahtarlama ve sinyal yükseltme devrelerinde tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) 1.5A, 1.5V koşullarında minimum 100 olup, 310mV saturasyon voltajı ile verimli anahtarlama sağlar. Tüketici elektroniği, ses sistemleri, güç yönetimi ve genel amaçlı transistör uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package 6-TSOP
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 310mV @ 20mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 35 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok