Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBRT60030L
DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBRT60030L
MBRT60030L Hakkında
MBRT60030L, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 30V/300A Schottky diyot dizi bileşenidir. 1 pair common cathode konfigürasyonunda tasarlanmış bu bileşen, fast recovery özellikleri sayesinde 500ns'nin altında anahtarlama hızına sahiptir. Maksimum forward voltajı 300A akımda 580mV olan bileşen, reverse leakage akımı 3mA (30V)'de kontrol edilmiştir. -55°C ile +150°C junction sıcaklık aralığında çalışabilen MBRT60030L, güç kaynakları, invertörler, UPS sistemleri ve yüksek akımlı doğrultma uygulamalarında kullanılır. Chassis mount Three Tower paket tipi ile mekanik olarak stabil montaj sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 30 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Obsolete |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580 mV @ 300 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok