Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBRT600200R
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBRT600200R
MBRT600200R Hakkında
MBRT600200R, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 200V/300A kapasiteli Schottky diyot dizisidir. Three Tower (3 kule) paketinde sunulan bileşen, 1 çift ortak anot konfigürasyonuna sahip olup, DC ters voltajı 200V'dir. 300A ortalama doğrultma akımında 920mV'luk forward voltajı ile çalışır. -55°C ile 150°C arasındaki işletme sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Fast recovery özelliği (≤500ns) sayesinde anahtarlama uygulamalarında yüksek hızlı işlem sağlar. Chassis mount montaj türüyle güç kaynakları, konvertörler, ters akım koruması ve frekans dönüştürücü devrelerde kullanılır. 1mA @ 200V reverse leakage akımı ile minimum kaçak akıma sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 300 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok