Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBRT600150R
DIODE SCHOTTKY 150V 300A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBRT600150R
MBRT600150R Hakkında
MBRT600150R, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen üç tower paketinde bir Schottky diyot dizi komponentdir. 150V maksimum ters gerilim ve 300A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Common anode konfigürasyonunda 1 çift diyot içerir. 880mV maksimum forward gerilimi ile verimli enerji transferi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, hızlı kurtarma karakteristiği (≤500ns) sayesinde güç kaynakları, invertörler, UPS sistemleri ve endüstriyel doğrultma uygulamalarında kullanılır. Şasi montajı için tasarlanmış chassis mount tipi pakettedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 150 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880 mV @ 300 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok