Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBRT20030
DIODE MODULE 30V 100A 3TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBRT20030
MBRT20030 Hakkında
MBRT20030, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 30V/100A kapasiteli Schottky diyot modülüdür. Three Tower kasa tipinde chassis mount montajı ile tasarlanmış olup, 1 Pair Common Cathode konfigürasyonunda 2 diyot içermektedir. Fast Recovery özellikleri sayesinde 500ns altında anahtarlama hızına sahiptir. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışma sağlar. 750mV forward voltage değeriyle düşük güç kaybı sunar. AC/DC güç kaynakları, inverter devreleri, kaynak makineleri ve endüstriyel doğrultma uygulamalarında kullanılır. 1mA maksimum reverse leakage current ile yüksek ters baskılama direnci gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 20 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750 mV @ 100 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok