Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBRT200150
DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBRT200150
MBRT200150 Hakkında
MBRT200150, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 150V 100A Schottky doğrultucu diyottur. Common Cathode konfigürasyonunda iki diyot içeren bu bileşen, Three Tower paketinde chassis mount olarak tasarlanmıştır. Fast Recovery karakteristiğine sahip olan komponent, 880 mV forward voltage ile 100A akım kapasitesinde çalışabilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 1 mA reverse leakage akımı ile yüksek ters yalıtım sağlar. Güç kaynakları, AC/DC konvertörler, inverterler ve endüstriyel doğrultma uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 150 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880 mV @ 100 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok