Diyotlar - Doğrultucular - Diziler

MBRT12080R

DIODE MODULE 80V 60A 3TOWER

Paket/Kılıf
Three Tower
Seri / Aile Numarası
MBRT12080R

MBRT12080R Hakkında

MBRT12080R, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen üç tower konfigürasyonlu Schottky diyot modülüdür. 80V maksimum ters gerilim ve 60A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Common anode iç bağlantısı ile tasarlanmış olup, hızlı enerji geri kazanım özelliği (500ns altında) gösterir. 880mV maksimum ileri gerilim düşüşü ile düşük enerji kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir performans sunar. Şasi montajı için uygun olup, anahtarlama güç kaynakları, invertörler ve endüstriyel doğrultma uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 60A
Current - Reverse Leakage @ Vr 1 mA @ 20 V
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Diode Type Schottky
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case Three Tower
Part Status Active
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Three Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 880 mV @ 60 A

Kaynaklar

Datasheet

MBRT12080R PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok