Diyotlar - Doğrultucular - Diziler

MBRT120200R

DIODE SCHOTTKY 200V 60A 3 TOWER

Paket/Kılıf
Three Tower
Seri / Aile Numarası
MBRT120200R

MBRT120200R Hakkında

MBRT120200R, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 200V 60A Schottky diyot dizisidir. Üç tower konfigürasyonunda tasarlanan bu komponent, ortak anode yapısı ile çalışmaktadır. Fast recovery özelliği ile 500ns'den küçük switching zamanına sahiptir. 920mV forward voltage ile 60A akım taşıyabilmesi, endüstriyel güç uygulamalarında, ac/dc konvertörlerde ve rektifikasyon devrelerinde kullanılmasını sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen komponent, Chassis Mount tipi montaja uygun olup 1mA reverse leakage akımı ile düşük ısı kaybı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 60A
Current - Reverse Leakage @ Vr 1 mA @ 200 V
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Diode Type Schottky
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case Three Tower
Part Status Active
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Three Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 920 mV @ 60 A

Kaynaklar

Datasheet

MBRT120200R PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok