Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

MBR8H100MFST3G

DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
MBR8H100M

MBR8H100MFST3G Hakkında

MBR8H100MFST3G, onsemi tarafından üretilen 100V 8A Schottky diyottur. 5-DFN (5x6) paketinde sunulan bu bileşen, doğrultma uygulamalarında hızlı işlem hızı ve düşük ileri düşüş gerilimi ile karakterize edilir. 900mV maksimum ileri gerilimi (Vf) ve ≤500ns hızlı iyileşme süresi ile güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve yüksek frekanslı doğrultma uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 175°C arası) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. Not: Bu ürün üretimi sona ermiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) 8A
Current - Reverse Leakage @ Vr 2 µA @ 100 V
Diode Type Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Obsolete
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 900 mV @ 8 A

Kaynaklar

Datasheet

MBR8H100MFST3G PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok