Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR60080CTR
DIODE MODULE 80V 300A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR60080CTR
MBR60080CTR Hakkında
MBR60080CTR, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 80V 300A kapasiteli Schottky diyot modülüdür. Twin Tower chassis mount konfigürasyonunda tasarlanan bu bileşen, 1 Pair Common Anode yapısına sahiptir. 300A ortalama doğrultulmuş akım (Io) ve 880mV forward voltajı (Vf) ile yüksek akımlı uygulamalarda hızlı doğrultma işlemi gerçekleştirir. Fast Recovery karakteristiği sayesinde ≤500ns anahtarlama süresi sağlayan modül, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışır. Endüstriyel güç kaynakları, inverterler, kaynak makineleri ve benzer yüksek akımlu doğrultma uygulamalarında kullanılır. 1mA @ 20V ters sızıntı akımı ile düşük kayıp sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 20 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 80 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880 mV @ 300 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok