Diyotlar - Doğrultucular - Diziler

MBR60080CT

DIODE MODULE 80V 300A 2TOWER

Paket/Kılıf
Twin Tower
Seri / Aile Numarası
MBR60080CT

MBR60080CT Hakkında

MBR60080CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 80V 300A kapasiteli Schottky diyot modülüdür. Twin Tower konfigürasyonunda chassis mount olarak tasarlanmış bu komponent, 1 çift common cathode diyot içermektedir. Maksimum forward voltajı 300A akımda 880mV olan cihaz, fast recovery karakteristiği (≤500ns) sayesinde yüksek frekans uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen modül, güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel doğrultma uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 300A
Current - Reverse Leakage @ Vr 1 mA @ 20 V
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Diode Type Schottky
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case Twin Tower
Part Status Active
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 880 mV @ 300 A

Kaynaklar

Datasheet

MBR60080CT PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok