Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR60035CTR
DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR60035CTR
MBR60035CTR Hakkında
GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen MBR60035CTR, 35V 300A rated kapasiteli Schottky diyot modülüdür. Twin Tower paketlemesine sahip bu komponent, 1 Pair Common Anode konfigürasyonunda tasarlanmıştır. Maximum forward voltage 750 mV @ 300A'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen modül, Fast Recovery karakteristiğine sahiptir (≤500ns, >200mA). Reverse leakage akımı 20V'de maksimum 1 mA'dir. Chassis mount tipi bu diyot modülü, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve enerji dönüşüm uygulamalarında doğrultma işlemi için kullanılır. Schottky teknolojisi sayesinde düşük forward voltage düşüşü ve hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 20 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 35 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750 mV @ 300 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok