Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR60035CTL
DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR60035CTL
MBR60035CTL Hakkında
MBR60035CTL, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen bir Schottky doğrultucu diyotudur. 35V ters voltaj dayanımı ve 300A ortalama doğrultma akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Twin Tower chassis mount paketinde sunulan bu bileşen, 1 çifti ortak katot konfigürasyonuna sahiptir. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. 600mV ön kapanış voltajı ve 500ns'den daha kısa iyileşme süresi ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, enerji kaynakları ve yüksek akım rektifikasyon devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 35 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Obsolete |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 35 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600 mV @ 300 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok