Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR60035CT
DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR60035CT
MBR60035CT Hakkında
MBR60035CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 35V 300A kapasiteli Schottky diyot modülüdür. Twin Tower khasında sunulan bu bileşen, 1 çift ortak katot konfigürasyonunda iki diyot içerir. Fast recovery özelliğine sahip olan bileşen, 500ns'nin altında switch hızı ile yüksek frekanslı uygulamalara uygun tasarlanmıştır. Maksimum 750mV forward voltajı ile verimli doğrultma işlemi gerçekleştirir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen kompakt chassis mount tasarımı, güç kaynakları, invertör devreleri ve yüksek akım doğrultma uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 20 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 35 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750 mV @ 300 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok