Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR60030CTRL
DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR60030CTRL
MBR60030CTRL Hakkında
MBR60030CTRL, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen yüksek akım Schottky diyot dizisidir. 30V ters voltaj ve 300A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu bileşen, 1 Pair Common Anode konfigürasyonunda tasarlanmıştır. Fast Recovery karakteristiği (≤500ns) sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 580mV forward voltaj düşüşü ile verimli enerji yönetimi sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve Chassis Mount montaj tipi ile endüstriyel uygulamalarda, güç kaynakları, inverter devreleri ve yüksek akım doğrultma sistemlerinde kullanıma uygundur. Twin Tower paketi kompakt tasarımlar için tercih edilir. Not: Bu ürün Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 30 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Obsolete |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580 mV @ 300 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok