Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR60030CTR
DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR60030CTR
MBR60030CTR Hakkında
MBR60030CTR, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 30V 300A kapasiteli Schottky diyot modülüdür. Twin Tower paketinde sunulan bu komponent, 1 Pair Common Anode konfigürasyonunda iki diyotu içerir. Ortalama doğrultulmuş akım 300A olup, ileri gerilim düşüşü 300A'de maksimum 750 mV'dir. Ters akış kaçağı 20V'de 1 mA seviyesindedir. Fast recovery karakteristiği (≤500ns) ile yüksek frekanslı uygulamalarda hızlı anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu modül, güç kaynakları, invertörler, UPS sistemleri ve indüktif yüklerin doğrultulmasında yaygın olarak kullanılır. Kasa montajı yapısı ile endüstriyel ve telecom uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 20 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750 mV @ 300 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok