Diyotlar - Doğrultucular - Diziler

MBR60030CT

DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER

Paket/Kılıf
Twin Tower
Seri / Aile Numarası
MBR60030CT

MBR60030CT Hakkında

MBR60030CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 30V/300A Schottky diyot modülüdür. Twin Tower kasa tipi ile chassis mount uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 1 Pair Common Cathode konfigürasyonuna sahip bu komponent, ortalama 750 mV forward voltaj ile 300A akım iletebilir. Fast recovery özelliği (≤500ns) sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C junction sıcaklık aralığında çalışan bu diyot modülü, güç kaynakları, inverter devreleri, AC/DC konvertörleri ve yüksek akımlı doğrultma uygulamalarında kullanılır. Reverse leakage akımı 20V'da maksimum 1 mA olup, Schottky teknolojisinin düşük forward voltaj avantajını sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 300A
Current - Reverse Leakage @ Vr 1 mA @ 20 V
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Diode Type Schottky
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case Twin Tower
Part Status Active
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 750 mV @ 300 A

Kaynaklar

Datasheet

MBR60030CT PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok