Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR600200CTR
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR600200
MBR600200CTR Hakkında
MBR600200CTR, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 200V/300A rated Schottky diyot dizisidir. Twin Tower paketinde sunulan bu komponent, 1 Pair Common Anode konfigürasyonunda tasarlanmıştır. 920 mV @ 300A forward voltage ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. Fast Recovery karakteristiği (≤500ns @ >200mA) ile anahtarlama devrelerinde hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında, 3 mA @ 200V reverse leakage karakteristiğiyle güvenilir performans sunar. Güç kaynakları, invertör devreleri, şarj sistemleri ve tüm high-current doğrultma uygulamalarında chassis mount olarak kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 300 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok