Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR600200CT
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR600200
MBR600200CT Hakkında
MBR600200CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen bir Schottky rectifier diyotudur. 200V reverse voltaj, 300A ortalama doğrultulmuş akım ve Twin Tower yapısı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Common cathode konfigürasyonunda iki diyot içeren bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreler ve endüstriyel elektronik sistemlerinde yer alır. 920mV forward voltaj düşüşü ve 500ns'den daha hızlı recovery time ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığında çalışır. Chassis mount kasa tipi ile doğrudan ısı yönetiminde etkindir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 300 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok