Diyotlar - Doğrultucular - Diziler

MBR600150CTR

DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER

Paket/Kılıf
Twin Tower
Seri / Aile Numarası
MBR600150CTR

MBR600150CTR Hakkında

MBR600150CTR, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 150V/300A kapasiteli Schottky doğrultma diyotudur. Twin Tower paket tipinde chassis mount olarak tasarlanan bu bileşen, 1 Pair Common Anode konfigürasyonunda iki diyot içerir. 880 mV forward voltaj değeri ile 300A akımda çalışabilen bu diyot, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) kullanılabilir. Fast recovery özelliği sayesinde 500ns'den düşük kurtarma süresi gösterir. 3mA ters sızıntı akımı ile düşük ters akım özelliğine sahiptir. Güç kaynakları, invertör devreleri, AC/DC konvertörleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 300A
Current - Reverse Leakage @ Vr 3 mA @ 150 V
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Diode Type Schottky
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case Twin Tower
Part Status Active
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 880 mV @ 300 A

Kaynaklar

Datasheet

MBR600150CTR PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok