Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR600150CT
DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR600150CT
MBR600150CT Hakkında
MBR600150CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen bir Schottky doğrultma diyotu olup 150V ters voltaj ve 300A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Twin Tower şasiye monte edilmiş kasa tipinde tasarlanmış bu bileşen, 1 çift ortak katot konfigürasyonu ile sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu diyot, düşük forward voltajı (880mV @ 300A) ve hızlı recovery özelliği sayesinde yüksek frekanslı güç dönüştürücüler, invertörler, kaynak makineleri ve endüstriyel doğrultma uygulamalarında kullanılmaktadır. 3mA @ 150V ters kaçak akımı ve 500ns'den kısa recovery süresi teknik performansın temel göstergeleridir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 150 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880 mV @ 300 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok