Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR600100CTR
DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR600100CTR
MBR600100CTR Hakkında
MBR600100CTR, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 100V/300A Schottky diyot modülüdür. Twin Tower chassis mount konfigürasyonunda sunulan bu komponent, 1 pair common anode diyot dizisine sahiptir. 880 mV forward voltaj düşüşü ile 300A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip olan cihaz, fast recovery özelliğine (≤500ns) ve 1mA @20V reverse leakage akımına sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında hizmet veren bu modül, güç kaynakları, konvertörler, invertörler ve endüstriyel doğrultma uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük forward voltaj düşüşü ve yüksek akım yeteneği, enerji tasarruflu doğrultma çözümleri gerektiren uygulamalar için uygun bir seçimdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 20 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880 mV @ 300 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok