Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR600100CT
DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR600100CT
MBR600100CT Hakkında
MBR600100CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 100V 300A kapasiteli Schottky diyot modülüdür. Twin Tower kasa tipinde chassis mount bağlantı sağlayan bu komponent, 1 Pair Common Cathode konfigürasyonuna sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen modül, 880 mV forward voltaj ve 1 mA reverse leakage akımı ile doğrultma işlemlerinde kullanılır. Fast recovery özelliği (≤500ns @ >200mA) sayesinde yüksek frekanslı anahtarlamada ve güç dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. Endüstriyel kontrol devreleri, kompresör sürücüleri ve kaynak makineleri gibi yüksek akım gerektiren sistemlerde uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 20 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880 mV @ 300 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok