Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR500200CTR
DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR500200CTR
MBR500200CTR Hakkında
MBR500200CTR, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 200V/250A rated Schottky diyot dizisidir. Twin Tower paketinde sunulan bu komponent, 1 çift common anode yapılandırması ile tasarlanmıştır. 920 mV forward voltajı ve 3 mA reverse leakage akımı özellikleri ile düşük kayıp doğrultma uygulamalarında kullanılır. Fast recovery karakteristiği (<500ns) sayesinde anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Şasis montajı tipi ile güç kaynakları, invertörler ve diğer yüksek akım doğrultma devreleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 250A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Obsolete |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 250 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok