Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR500200CT
DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR500200CT
MBR500200CT Hakkında
MBR500200CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 200V/250A kapasiteli Schottky doğrultucu diyottur. Twin Tower paket içinde 1 pair common cathode konfigürasyonunda sunulan bu bileşen, fast recovery karakteristiğine (≤500ns) sahiptir. Ön gerilim (Vf) maksimum 920mV@250A ve ters kaçak akım (Ir) maksimum 3mA@200V'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç uygulamalarında, anahtarlama devreleri, enerji dönüştürücüler ve indüktif yük korumasında kullanılır. Chassis mount tipi, yüksek akım uygulamaları için uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 250A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Obsolete |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 250 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok