Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR40080CTR
DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR40080CTR
MBR40080CTR Hakkında
MBR40080CTR, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 80V 200A kapasiteli Schottky diyot modülüdür. Twin Tower kasa tipi ile chassis mount uygulamaları için tasarlanmıştır. Ortak anot konfigürasyonunda 1 çift diyot içerir. 200A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine ve maksimum 840mV ileri gerilimi ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Fast recovery karakteristiği (≤500ns) ile anahtarlama uygulamalarında yüksek verimlilik elde edilir. Güç kaynakları, invertör devreleri ve yüksek frekanslı doğrultma uygulamalarında kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 mA @ 20 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 80 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840 mV @ 200 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok