Diyotlar - Doğrultucular - Diziler

MBR40080CT

DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER

Paket/Kılıf
Twin Tower
Seri / Aile Numarası
MBR40080CT

MBR40080CT Hakkında

MBR40080CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen bir Schottky diyot modülüdür. Twin Tower (2TOWER) kasa tipi ile chassis mount uygulamalar için tasarlanmıştır. 1 Pair Common Cathode konfigürasyonunda sunulan bu diyot modülü, diode başına 200A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Maksimum 80V ters voltaj (Vr) desteği ve 840mV forward voltaj (200A'de) ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Fast recovery özelliği (≤500ns, >200mA) sayesinde sıkça komüte edilen devrelerde etkindir. Ters sızıntı akımı 20V'de 5mA'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Endüstriyel güç kaynakları, invertörler ve AC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 200A
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 mA @ 20 V
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Diode Type Schottky
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case Twin Tower
Part Status Active
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 840 mV @ 200 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok