Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR40045CTRL
DIODE SCHOTTKY 45V 200A 2 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR40045
MBR40045CTRL Hakkında
MBR40045CTRL, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 45V 200A kapasiteli Schottky diyot dizisidir. Twin Tower paket yapısında sağlanan bu komponent, 1 Pair Common Anode konfigürasyonu ile tasarlanmıştır. 600 mV forward voltage ve 5 mA reverse leakage özelliklerine sahip olup, fast recovery karakteristiklerine (≤500ns) sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen bu diyot, yüksek akım uygulamalarında, güç dönüştürme devrelerinde, invertör uygulamalarında ve endüstriyel elektronik sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Chassis mount yapısı sayesinde güvenli ve sabit bir montaj sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 mA @ 45 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Obsolete |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 45 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600 mV @ 200 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok