Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR40035CTRL
DIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR40035CTRL
MBR40035CTRL Hakkında
MBR40035CTRL, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen yüksek akım Schottky doğrultma diyotudur. Twin Tower paketinde sunulan bu diyot, 1 pair common anode konfigürasyonunda tasarlanmıştır. Maksimum 35V ters voltaj ve diode başına 200A ortalama doğrultulanmış akım kapasitesiyle, yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 600mV forward voltaj düşüşü ve 500ns altında hızlı recovery zamanı, anahtarlama güç kaynakları, UPS sistemleri, endüstriyel invertörler ve enerji dönüşüm uygulamalarında tercih edilir. Chassis mount tipi montaj için uygundur. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 35 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Obsolete |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 35 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600 mV @ 200 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok