Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR40035CT
DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR40035CT
MBR40035CT Hakkında
MBR40035CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 35V 200A Schottky diyot modülüdür. Twin Tower paketinde sunulan bu komponent, 1 Pair Common Cathode konfigürasyonunda iki diyotu içerir. Maksimum 700mV ileri gerilim düşüşü ile 200A ortalama doğrultulmuş akım taşıyabilir. Fast recovery özelliği sayesinde 500ns'nin altında anahtarlama hızına sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu diyot modülü, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Kasa montajı (Chassis Mount) ile sabit kurulum sağlar. 35V maksimum ters gerilim ve 1mA ters kaçak akımı belirtimleri ile ileri beslemeli doğrultma uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 35 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 35 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700 mV @ 200 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok