Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR40030CTR
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR40030CTR
MBR40030CTR Hakkında
MBR40030CTR, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 30V/200A kapasiteli Schottky diyot modülüdür. Twin Tower paket yapısında sunulan bu komponent, 1 çift ortak anot (Common Anode) konfigürasyonunda tasarlanmıştır. Doğrultma uygulamalarında kullanılan bu diyot, maksimum 650 mV forward voltajında 200A akım iletebilir. Fast recovery karakteristiğine sahip olan komponent, 500ns'den kısa recovery time sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen MBR40030CTR, kontrol sistemleri, güç kaynakları, endüstriyel konvertörler ve doğrultma devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Chassis mount tipi montajla kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 mA @ 20 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650 mV @ 200 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok