Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR400200CTR
DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR400200CTR
MBR400200CTR Hakkında
MBR400200CTR, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Twin Tower paketli Schottky diyot dizisidir. 200V ters voltaj ve 200A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip, Common Anode konfigürasyonda iki diyot içerir. Fast Recovery özelliği sayesinde 500ns'den kısa anahtarlama süresi gösterir. 920mV maksimum iletkende voltaj düşüşü ve 3mA ters kaçak akımı ile yüksek verimli uygulamalarda kullanılmaya uygundur. -55°C ile +150°C geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Endüstriyel güç kaynakları, inverterler, motor sürücüleri ve AC/DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Chassis Mount ile doğrudan soğutma yüzeylerine tutturulabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 200 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok