Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR400150CT
DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR400150CT
MBR400150CT Hakkında
MBR400150CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen bir Schottky diyot dizi bileşenidir. Twin Tower kasa tipinde sunulan bu komponent, 150V DC ters voltaj ve 200A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Schottky diyotlar, düşük ileriye doğru voltaj düşüşü (880mV @ 200A) ve hızlı anahtarlama özellikleri ile güç dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. 1 pair common cathode konfigürasyonu ile sunulan bu bileşen, şase montajı için tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan MBR400150CT, güç kaynakları, kaynak cihazları, inverterler ve yüksek akım doğrultucu devrelerinde kullanılır. Fast recovery karakteristiği (≤500ns, >200mA) ile anahtarlama kayıplarını minimize eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 150 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880 mV @ 200 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok