Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR30035CTR
DIODE MODULE 35V 150A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR30035CTR
MBR30035CTR Hakkında
MBR30035CTR, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 35V 150A kapasiteli Schottky diyot modülüdür. Common Anode konfigürasyonlu Twin Tower paketinde sunulan bu komponent, ortalama 150A doğrultulu akım kapasitesine ve maksimum 700mV forward voltaja sahiptir. Fast recovery karakteristiği (≤500ns) ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Reverse polarity Schottky diyot teknolojisi sayesinde düşük forward voltage drop ve düşük reverse leakage akımı (1mA @ 35V) sunar. Chassis mount tipi montajla endüstriyel güç dönüştürme, invertör, kaynak cihazları ve doğrultma devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 150A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 35 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky, Reverse Polarity |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 35 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700 mV @ 150 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok