Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR20080CTR
DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR20080CTR
MBR20080CTR Hakkında
MBR20080CTR, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Schottky diyot modülüdür. Twin Tower kasa tipi ile chassis mount uygulamalar için tasarlanmıştır. 80V maksimum ters gerilim (Vr) ve 200A ortalama doğrultulmuş akım (Io) ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. Common Anode konfigürasyonuna sahip 1 çift diyot içerir. Fast Recovery karakteristiği (≤500ns) sayesinde hızlı anahtarlama gerektiren güç kaynağı, invertör ve enerji dönüştürme devrelerinde uygulanır. 100A akımda 840mV forward voltajı ile düşük iletim kayıpları sağlar. Yüksek akım doğrultma uygulamalarında tercih edilen bir modüldür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 mA @ 20 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 80 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840 mV @ 100 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok