Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR20080CT
DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR20080CT
MBR20080CT Hakkında
MBR20080CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 80V 200A Schottky diyot modülüdür. Twin Tower paketlemesi ile chassis mount uygulamalarında kullanılan bu komponent, ortalama doğrultulmuş akım değeri diode başına 200A DC'dir. 1 Pair Common Cathode konfigürasyonu ile tasarlanan modül, fast recovery özelliğine sahip olup 500ns ve üzeri geri kazanım hızına sahiptir. 840mV maksimum forward voltage değeri 100A akımda ölçülmüştür. 20V'de ters yönlü kaçak akımı maksimum 5mA'dir. Güç kaynakları, invertörler ve yüksek akımlu doğrultme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 mA @ 20 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 80 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840 mV @ 100 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok