Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR20060CT
DIODE MODULE 60V 200A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR20060CT
MBR20060CT Hakkında
MBR20060CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 60V 200A kapasiteli Schottky diyot modülüdür. Twin Tower paketinde sunulan bu komponent, 1 çift ortak katot (common cathode) konfigürasyonunda çalışır. Baskı devre kartlarına chassis mount edilebilen bu diyot, 750 mV forward voltaj ile 100 A akımda çalışabilir. Fast recovery özelliği sayesinde 500 ns'den daha kısa switching zamanına sahiptir. Ters yönde max 20V'de 5 mA sızıntı akımı gösterir. Endüstriyel doğrultma uygulamaları, güç kaynakları, AC/DC konverterler ve yüksek akım diyot matrisleri gibi alanlarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 mA @ 20 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 60 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750 mV @ 100 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok