Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR20030CT
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR20030CT
MBR20030CT Hakkında
MBR20030CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 30V/200A kapasiteli Schottky diyot modülüdür. Twin Tower kütüphanesi paketine sahip bu bileşen, 1 Pair Common Cathode konfigürasyonunda çalışan iki diyot içermektedir. 200A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ve 650mV maksimum ileri gerilimi ile güç uygulamalarında verimli bir doğrultucu çözümü sunar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 500ns'den düşük ters toparlanma zamanı, yüksek frekanslı anahtarlama devrelerinde kullanılmaya uygundur. Chassis mount yapısı ile endüstriyel güç kaynakları, invertörler ve şarj sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 mA @ 20 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650 mV @ 100 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok