Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR200200CTR
DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR200200CTR
MBR200200CTR Hakkında
MBR200200CTR, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 200V 100A kapasiteli Schottky diyot dizisidir. Twin Tower paketinde sunulan bu bileşen, 1 pair common anode konfigürasyonuna sahip olup yüksek akım doğrultma uygulamalarında kullanılır. Fast recovery özelliği (≤500ns) sayesinde hızlı anahtarlama gerektiren SMPS, invertör ve güç dönüştürücü devrelerde tercih edilir. 920 mV forward voltaj düşüşü ve 3 mA ters kaçak akımı özellikleriyle enerji verimliliğini destekler. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulamalar için uygunluk sağlar. Şasi montajı ile doğrudan soğutma elemanlarına bağlanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 100 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok