Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR200200CT
DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR200200CT
MBR200200CT Hakkında
MBR200200CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 200V/100A kapasiteli Schottky doğrultucu diyotudur. Twin Tower paketinde sunulan komponent, 1 çift ortak katot (Common Cathode) konfigürasyonunda tasarlanmıştır. Fast Recovery karakteristiği (≤500ns @ >200mA) sayesinde yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum forward voltajı 920mV @ 100A olarak belirtilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu diyot, şasi montajına uygun tasarlanmış olup endüstriyel güç kaynakları, invertörler ve AC/DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 100 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok