Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR200150CT
DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR200150CT
MBR200150CT Hakkında
MBR200150CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 150V 100A kapasiteli Schottky diyot dizi bileşenidir. Twin Tower paketinde sunulan bu bileşen, 1 Pair Common Cathode konfigürasyonunda iki diyot içermektedir. 880 mV forward voltage düşüşü ile hızlı doğrultma uygulamalarında kullanılır. Fast recovery karakteristiği (≤500ns) sayesinde yüksek frekanslı anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, inverter ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Chassis mount tipi montajı ile endüstriyel uygulamalarda kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 150 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880 mV @ 100 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok