Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR200100CTR
DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR200100CTR
MBR200100CTR Hakkında
MBR200100CTR, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen bir Schottky diyot modülüdür. Twin Tower kasa tipi ile chassis mount montajına uygun olarak tasarlanmıştır. 100V DC ters voltaj (Vr) ile çalışabilen bu komponent, 200A ortalama doğrultulmuş akım (Io) kapasitesine sahiptir. Fast Recovery özelliği ile ≤500ns anahtarlama hızına sahip olup, 100A'de maksimum 840mV forward voltajı ile düşük ısıl kaybı sağlar. Common Anode konfigürasyonu ile tasarlanmış olan bu diyot modülü, endüstriyel doğrultaç uygulamalarında, güç kaynakları ve yüksek akımlı anahtarlama devrelerinde kullanılır. 20V'de 5mA ters sızıntı akımı ile kararlı çalışma özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 mA @ 20 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840 mV @ 100 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok