Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR200100CT
DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR200100CT
MBR200100CT Hakkında
MBR200100CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 100V/200A Schottky diyot modülüdür. Twin Tower kasa tipinde chassis mount olarak tasarlanmış bu bileşen, ortak katot (1 Pair Common Cathode) konfigürasyonuna sahiptir. 840 mV maksimum forward voltajı ile 100A akımda çalışabilen bu hızlı iyileştirme diyodu (≤500ns), endüstriyel güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, invertörler ve dikme doğrultma uygulamalarında kullanılır. 5 mA reverse leakage akımı ve 100V maksimum reverse voltajı ile güvenilir doğrultma performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 mA @ 20 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840 mV @ 100 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok